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巴鲁夫成型外壳内的磁致伸缩位移传感器

产品时间:2019-06-01

简要描述:

巴鲁夫成型外壳内的磁致伸缩位移传感器

主营德国进口备件:巴鲁夫BALLUFF、

图尔克TURK、倍加福P+F

西克SICK、 、 FIAMA MTS、 SMC

易福门IFM、皮尔兹Pilz 、费斯托FESTO 、美国邦纳Banner 杰佛伦 gefran 等

巴鲁夫成型外壳内的磁致伸缩位移传感器

 

实验结果证明,通过采用铁钴栅阵式磁敏薄膜的SAW磁场传感器,成功抑制了铁钴材料中的磁滞效应,其磁滞误差仅为铁钴薄膜式传感器的五分之一,而且,传感器的灵敏度、线性度也得到了大幅改善,如图2所示。该项研究为高性能磁场检测提供了一个有效途径。

  * 强磁滞效应:铁磁材料磁化状态的变化总是落后于外加磁场的变化,在外磁场撤消后,材料仍能保持原有的部分磁性。

  * 磁致伸缩效应:铁磁材料在外部磁场发生变化时,材料的尺寸和体积会发生变化。

  * ΔE效应:铁磁材料在外部磁场发生变化时,自身的杨氏弹性模量(E)也会发生变化。

 

巴鲁夫成型外壳内的磁致伸缩位移传感器

 

在当今的信息社会中,磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的基础元件。

 

目前,人们已研制出利用各种物理、化学和生物效应的磁场传感器,并已在科研、生产和社会生活的各个方面得到广泛应用,承担起探究种种信息的任务。但是多数的磁场传感技术在灵敏度及磁滞误差等方面仍存在问题,阻碍了其实质应用。

 

将栅阵式铁钴(FeCo)磁致伸缩薄膜高磁敏、低磁滞性与声表面波的快速响应特点相结合,有可能实现一种快速、高灵敏、低迟滞误差、稳定可靠的新型磁场检测方法来检测磁场。

 

中科院声学所超声技术中心的王文研究员、贾雅娜博士等人研究发现,对铁钴磁致伸缩薄膜进行栅阵式设计,可以获得一种新型的快速、灵敏度高的磁场检测方法,提高磁场传感器的线性度、*性和稳定性,减小迟滞误差,由此改善磁场传感器的性能。相关成果已发表于国际期刊 AIP advances [1]

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